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国内GaN GaN研究开发的突破性进展:12月底试产

    近日,在深圳会议展览中心举办的深圳国际电子展上,Inosseco(珠海)科技有限公司市场部副总裁参加了“2008(冬季)中国USB PD快速灌装行业峰会论坛”,分享了“8英寸GaN快速灌装应用机会”的主题演讲。“联系与挑战”。陈玉林从企业介绍、快速充电市场中的GaN机遇、高频、高效快速充电解决方案的挑战三个方面向工业工程师分享了有关GaN的相关知识。GaN是继第一代Ge、Si半导体材料和第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它在光电子、大功率器件和高频微波器件等方面具有广阔的应用前景。陈玉林透露,国内氮化镓的研究开发已取得突破性进展。三个新的GaN产品,100V,150V和650V将在2018年12月底投入试生产,并在2019年正式批量生产。目前,INOSECO拥有5种产品(40V、60V、100V等),实现小批量生产和收到订单。这些产品采用目前行业领先的8英寸Fab生产线制造。目前,INOSECO采用IDM产业链模式,第一家自行建造的8英寸晶圆厂用于支持GaN产业。公司已成功建立了覆盖研发、设计、生产、测试、销售、市场和技术支持的完整的GaN产业链。产品包括30V至650V功率器件、功率模块和射频器件。它们在5G通信、新能源汽车、智能制造、人工智能、大型数据中心等战略新兴领域具有巨大的优势和发展空间。在现场,INOSECO展示了最新的15W汽车充电器应用案例。与传统方案相比,INOSECO具有体积小、效率高、以生产GaN为开发设计的特点。除了车载充电器的应用外,氮化镓在高功率快速充电器的应用也引起了全世界的关注。高速、高频和高效率使得大功率USB PD充电器不再是笨重的砖头,体积小巧,可以实现高功率输出,比苹果原装的30W充电器更小更轻。内置式GaN充电器的输出功率为27W,苹果USB-C充电器的输出功率为30W,两者之间的功率差很小,但内置式GaN充电器的尺寸完全不同。内置的GaN充电器比苹果充电器小40%。

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英特尔在以色列的扩张:大约12亿美元的支持基金

    题目:英特尔在以色列的扩张:英特尔在过去的六个月里遭受了严重的供应危机,大约12亿元的支持基金

   &nb中国航母之父_商圈图网sp;英特尔在以色列的扩张:大约12亿元的支持基金

    英特尔在过去的六个月里经历了严重华谊兄弟股票代码_计数器芯片网的供应危机。处理器和芯片组的大规模短缺导致市场紧张,并给其竞争对手提供了许多机会。英特尔高管甚至表示,这个问题要到明年年底才能完全解决。

   北京人 话剧_问卷调查报告范文网 党校学习党性分析材料_纷纷开且落网;事实上,英特尔一直在采取各种措施,如增加资本支出以扩大产能。亚利桑那州的42工厂已经取得了良好的进展,最近宣布了扩大俄勒冈州、爱尔兰和以色列生产设施的计划。

    但恶性卵巢肿瘤_山东莱钢网是增加产量会花费很多钱,英特尔正在努力省钱。

    据国外媒体报道,为了英特尔计划50亿美元的扩张决心,以色列议会已批准支持7亿新西克尔,约12.76亿元(约1.85亿美元)。

    根据数据,英特尔是以色列最大的雇主和出口商之一,它的许多新技术都是以这种方式开发的(比如著名的核心架构)。今年早些时候,该公司提交了升级其位于以色列南部的Kiryat Gat制造厂的计划。

    9c8903_大连港医院网;除了50亿美元的投资,英特尔预计还将增加250名新员工,并在当地采购费用上投入21亿美元。

    [来源:快速技术][作者:万南]

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